場效應(yīng)結(jié)晶體管（FieldEffect Transistor縮寫（FET））職稱場效應(yīng)管。由少數(shù)載流子參加導(dǎo)熱，也稱為多極型結(jié)晶體管。它歸于電壓掌握型半超導(dǎo)體機件。存正在輸出電阻高（10^8~10^9Ω）、噪音小、功耗低、靜態(tài)范疇大、易于集成、沒有二次擊穿景象、保險任務(wù)海域?qū)挼乳L處，現(xiàn)已變化雙極型結(jié)晶體管和功率結(jié)晶體管的壯大合作者。

      場效應(yīng)管特性

      一：場效應(yīng)管是電壓掌握機件，它經(jīng)過VGS（柵源電壓）來掌握ID（漏極直流電）；
      二：場效應(yīng)管的輸出端直流電極小，因而它的輸出電阻很大。
      三：它是應(yīng)用少數(shù)載流子導(dǎo)熱，因而它的量度穩(wěn)固性較好；
      四：它組成的縮小通路的電縮小小系數(shù)要小于三極管組成縮小通路的電縮小小系數(shù)；
      五：場效應(yīng)管的抗輻照威力強；
      六：因為沒有具有錯雜活動的少子分散惹起的散粒噪音，因為噪音低。

      場效應(yīng)管的任務(wù)原理

      場效應(yīng)管任務(wù)原理用一句話說，就是"漏極-源極間走過溝道的ID,用以電極與溝道間的pn構(gòu)造成的反偏偏的電極電壓掌握ID".更準確地說，ID走過電路的幅度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏偏的變遷，發(fā)生耗盡層擴大變遷掌握的來由。正在VGS=0的非飽滿海域，示意的過渡層的擴大由于沒有很大，依據(jù)漏極-源極間所加VDS的磁場，源極海域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有直流電ID活動。從門極向漏極擴大的適度層將溝道的一全體形成阻塞型，ID飽滿。將這種形態(tài)稱為夾斷。這象征著過渡層將溝道的一全體阻撓，并沒有是直流電被切斷。

      正在過渡層因為沒有電子、空穴的自正在挪動，正在現(xiàn)實形態(tài)下簡直存正在絕緣特點，一般直流電也難活動。然而這時漏極-源極間的磁場，實踐上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部左近，因為漂移磁場拉去的高速電子經(jīng)過過渡層。因漂移磁場的強度簡直沒有變發(fā)生ID的飽滿景象。其次，VGS向負的位置變遷，讓VGS=VGS（off），這時過渡層大體變化遮蓋全海域的形態(tài)。并且VDS的磁場大全體加到過渡層上，將電子拉向漂移位置的磁場，只要接近源極的很短全體，這更使直流電沒有能呆滯。